MOS门电路有P沟道型PMOS、N沟道型NMOS和互补型CMOS三种类型。PMOS是MOS逻辑门中的早期产品,PMOS逻辑门结构简单、易于制造、成本低,但其速度慢,且因使用负电源而不便于与TTL电路连接。NMOS和CMOS逻辑门的制造工艺虽然复杂一些,但速度比PMOS逻辑门快,且使用正电源,便于与TTL电路连接。特别是CMOS逻辑门,它在NMOS的基础上发展起来,与其它逻辑门相比有如下特点:
(1)静态功耗极微,每个门的功耗仅为nW数量级;
(2)速度比NMOS更快,接近与TTL电路;
(3)传输特性陡峭,抗干扰能力强;
(4)电源利用率高;
(5)电源电压允许范围大(+3V—+15V);
(6)负载能力强,扇出系数大(>50)。
1. CMOS反相器
CMOS反相器由NMOS管和PMOS管的互补电路构成,图3-8(a)给出了CMOS反相器的电路图,图(b)为其传输特性。
CMOS反相器电路中,工作管T1为增强型NMOS管,负载管T2为增强型PMOS管,两互补管参数基本一致。两管的栅极相连作为反相器的输入端,漏极相连作为反相器的输出端。电源电压VDD应大于T1管开启电压VTN和T2管开启电压VIP的绝对值之和,即VDD>VTN+VTP。实际应用中,VDD通常取5V,以便与TTL电路兼容。
当输入VI为0电平(≈0V)时,T1管的栅源电压VGS1=0V,T1截止;同时,由于T2管的栅源电压的绝对值VGS2>VTP,T2导通。结果输出端与电源接通、与地断开,输出端VO为1电平(=VDD)当输入为V1为1电平(=VDD)时,T1管的栅源电压VGS1=VDD,T1导通;同时,由于T2管的栅源电压VGS2=0V,T2截止。结果输出端与电源断开、与地接通,输出端VO为0电平(=0V)。由此可见,该电路实现了非逻辑的功能。
典型的CMOS反相器电压传输特性曲线VO=f(V1)如图(b)所示。图中曲线共分五段:
(1)A段:0V<V1<VTN,T2导通,T1截止,输出电压VO=VDD;
(2)B段:VTN<V1<V*(=VDD/2),T1开始导通,电路中有较小的电流流过,T2出现压降,输出电压VO开始降低;
(3)C段:当V1增大至V*a附近时,T1、T2均导通,电路中有较大的电流流过,此时只要V1有微小增加,输出电压VO便会急剧下降;
(4)D段:V*<V1<VDD+VTP(因为VTP为负值,所以VDD+VTP=VDD—VTP),T2导通程度逐渐减小,T1导通程度逐渐增大,输出电压VO继续下降;
(5)E段:V1>VDD+VTP,T2截止,T1导通,输出电压VO=0V。
由以上分析可见,CMOS反相器的传输特性曲线在阈值电平V*(=VDD/2)附近几乎是垂直的,因此其高、低电平噪声容限都很大,特别适合于在抗干扰能力要求高的场合使用。
2. CMOS与非门
CMOS与非门电路如图3-9所示。图中两个串联的增强型NMOS管T1、T2作为工作管组,两个并联的增强型PMOS管T3、T4作为负载管组。T1、T3作为一对互补管,它们的栅极相连作为输入端A;T2、T4为另一对互补管,它们的栅极相连作为输入端B。
当输入端A、B均为1电平时,T1、T2导通,T3、T4截止,输出端L必定为0电平;当输入端A和B中至少有一个为0电平时,T1和T2至少有一个截止,T3和T4中至少有一个导通,输出端L必定为1电平。由此可见,该电路实现了与非逻辑功能。
3. CMOS或非门
CMOS或非门电路如图3-10所示。图中两个并联的增强型NMOS管T1、T2作为工作管组,两个串联的增强型PMOS管T3、T4作为负载管组。T1、T3作为一对互补管,它们的栅极相连作为输入端A;T2、T4为另一对互补管,它们的栅极相连作为输入端B。
当输入端A、B均为0电平时,T1、T2截止,T3、T4导通,输出端L必定为1电平;当输入端A和B中至少有一个为1电平时,T1和T2至少有一个导通,T3和T4中至少有一个截止,输出端L必定为0电平。由此可见,该电路实现了或非逻辑功能。
4. CMOS传输门
CMOS传输门的电路和符号如图3-11所示,它是一种可控的双向信号传输开关。CMOS传输门由一个PMOS管TP和一个NMOS管TN并联而成。两管源极相连作为输入端VI,漏极相连作为输出端VO,两管栅极分别作为互补的控制端CP和端。
当控制端CP为1(VDD)、
为0(
0V)时,TP和TN都具备了导通条件。此时若VI在0V—VDD范围之内,TP和TN中必有一个导通,VI通过传输门TG传输到VO,这就相当于开关接通。
当控制端CP为0、为1时,TP和TN都不具备开启条件时。此时不论VI为何值,都无法通过传输门TG传输到VO,这就相当于开关断开。
由于MOS管结构的对称性,源和漏极可以互换使用,即VI和VO可以互换,因此CMOS传输门称为可控双向开关。