该RAM存储单元有三个状态：

1.保持状态 ：Z为低电平 0.3V, D和D为1.5V或0.7V，状态不变。

2.读出：字线为+3V，导通管发射极电流从位线流出。检测一根位线上是否有电流，可读出存储单元的状态。

3.写入：字线为+3V，写入1，1信号经写入放大器后给出D=1， D =0信号，使T1止，T2通，触发器置1。