实验  RAM的扩展

 

RAM的种类很多，存储容量有大有小。当一片RAM不能满足存储容量需要时，就需要将若干片RAM组合起来，构成满足存储容量要求的存储器。RAM的扩展分为位扩展和字扩展两种。

1.位扩展 

字数满足要求，而位数不够时，应采用位扩展。

实现位扩展的原则是：

①多个单片RAM的I/O端并行输出。

②多个RAM的CS接到一起，作为RAM的片选端（同时被选中）；

③地址端对应接到一起，作为RAM的地址输入端。

④多个单片RAM的R/W端接到一起，作为RAM的读/写控制端（读/写控制端只能有一个）； 

下图是用4片256×1位的RAM扩展成256×4位的RAM的接线图。

2.字扩展

在RAM的数据位的位数足够，而字数达不到要求时，需要进行字扩展。字数增加，地址线数就得相应增加。如256×8位RAM的地址线数为8条，而1024×8位RAM的地址线数为10条（接线见图6-16）。

实现字扩展的原则是：

①多个单片RAM的I/O端并接，作为RAM的I/O端。

②多片构成字扩展之后，每次访问只能选中一片，选中哪一片，由字扩展后多出的地址线决定。多出的地址线经输出低有效的译码器译码，接至各片RAM的CS端。

③地址端对应接到一起，作为低位地址输入端。

④R/W端接到一起作为RAM的读/写控制端（读写控制端只能有一个）。

下图RAM的字扩展接法连接图：

实验报告

1．试用1024×4位RAM实现4096×8位存储器。

解：4096×8位存储器需1024×4位RAM的芯片数