一、问答题：

1. 字数满足要求，而位数不够时，应采用位扩展，实现位扩展的原则是：

①多个单片RAM的I/O端并行输出。

②多个RAM的CS接到一起，作为RAM的片选端（同时被选中）；

③地址端对应接到一起，作为RAM的地址输入端。

④多个单片RAM的R/W端接到一起，作为RAM的读/写控制端（读/写控制端只能有一个）； 

2.256×4位的RAM的接线图如下：

3.实现字扩展的原则是：

①多个单片RAM的I/O端并接，作为RAM的I/O端。

②多片构成字扩展之后，每次访问只能选中一片，选中哪一片，由字扩展后多出的地址线决定。多出的地址线经输出低有效的译码器译码，接至各片RAM的CS端。

③地址端对应接到一起，作为低位地址输入端。

④R/W端接到一起作为RAM的读/写控制端（读写控制端只能有一个）。

二、选择题：

1.B.

2.A.

三、分析：

连接图如下：