1. Intel 2114

1K×4位的SRAM

单一的+5V电源供电

所有的引脚都与TTL电平兼容

地址线A0~A9共10根，可寻址2₁₀个(1K或1024)存储单元，每个单元4比特。

数据线I/O1~I/O4共4条，都是双向传输，三态控制。

WE是写允许，低电平有效。

CS是片选，低电平有效。

2. Intel 6264

8K ×8位的SRAM

I/O端口是双向、三态控制，与TTL电平兼容。

址址线A0~A12，共13根，可寻址2₁₃个存储单元。8K = 2₃*2₁₀=2₁₃。

数据线D₀~D₇，共8根，每个存储单元8位。

WE是写允许， CS是片选， OE是输出使能，三者电平的组合控制数据的写入、读出、高阻三种状态。

Intel 6系列除容量不同外，其余参数类似。

3. Intel 51256

32K×8位的SRAM

地址线A₀~A₁₄，共15根线，可寻址2₁₅即2₅*2₁₀ = 32K存储单元。

数据线D₀~D₇，共8根线，每个存储单元8位。数据线双向三态。

4. Intel 2164

64K×1bit的DRAM

可访问地址为 64K=2₆*2₁₀。地址线A⁰~A⁷，共8根。

地址线只有8位，16位的地址信号分为行地址和列地址，分两次送入芯片。

读/写操作，需要:

(1) RAS行地址信号 低电平，通过A⁰~A⁷ 输入行地址，在内部行直址寄存器中锁存；

(2) CAS列地址信号 低电平，通过A⁰~A⁷输入行地址，在内部行直址寄存器中锁存；

根据以上行地址和列地址选中一个存储单元。

据 WE决定读操作还是写操作。

每次读写均可同时完成一次刷新。

DRAM需要及刷新操作，才能避免数据丢失。除读写以外，可以单独执行刷新操作。

低电平，通过A⁰~A⁶指定128个刷新单元中的一个，每个刷新单元包括128*4位，可以同时刷新。2164内部由 4 个 128*128矩阵组成，以这样的方式经128次可完成全部刷新。

Intel 21系列除容量外，其余特性类似。

5. Intel 41256

256K×1位DRAM，存取时间200～300ns，地址线只有一半的位数，行地址和列地址分两次输入。

6. Intel 27128

128K（16K×8位）的EPROM。

14条地址线，经过译码在16K(即2₄*2₁₀)地址中选中一个单元。每个单元8位，对应数据线D⁰~D⁷。

最大访问时间250ns，与高速8MHz的iPAX186兼容

工作模式包括读、编程模式、检验等多种，由各引脚的电平指定。细节请在实验或项目中参考教材或手册。

7. 28C64

28C系列是包含不同容量的E₂PROM芯片。

与EPROM相比，E₂PROM的优点是编程与擦写所需的电流极小，速度快（10ms）；擦写可以按字节分别进行。

8. K9F6408U0A

K9F6408U0A是典型的NAND Flash芯片。

数据宽度为8位，可复用，既可作为地址和数据的输入/输出引脚，又可作命令的输入引脚，根据时序采用分时循环。

芯片内部存储单元按页和块的结构组织，写和读以页为单位，而擦除以块为单位。读、写和擦除操作均通过命令完成。

写入每页的时间为200us，平均每写一个字节约400ns，即约20Mb/s。此芯片可擦写1百万次，掉电数据不丢失，数据可保存十年。